三沙矿用变压器栅极电阻大多数120伏的应用

编辑：三沙矿用变压器厂家 日期：2018-06-15 人气：455

在这个电路中的一个常见的??错误是，以使该系列门电阻值过大值会显示在由光耦合器制造商的典型应用电路。180是基于限制电流1A峰值在的120伏线路输入的高峰期光耦

200瓦或更少。为最坏的情况下，这个电阻限制电流打开，在繁忙的线路电压，但它也设置接通正弦点（导通角）波，因为可控硅门电流通过这个电阻决定，从生产说明。 负载电阻也很重要，因为它也可以限制现有的可控硅门极电流的金额。 三沙矿用变压器栅极电阻大多数120伏的应用将是一个更好的选负载更大的超过200 W和质量光耦合器技术或的光耦输出晶闸管的（TSM的评级）为几微秒在该行的高峰期负载小于200瓦电阻可下降到¸。请记住，如果栅极电阻是价值过大，可控硅将无法开启打开所有或不充分，这可能会导致过大的权力在栅极电阻的耗散，造成烧坏。此外，

网络包括。这是一种典型的电路提交光电耦合器制造商。选择正在使用的线路电压的可控硅，电流通过负载，负载类型。自一个120伏交流电源线的电压为170 V，你会选择200五（MIN）设备。如果应用程序中使用一个嘈杂的工业环境，400 V设备应使用。如果要控制线电压是240V AC 340 V的峰值电压，然后用至少400V额定的一部分或更多的设计余量为600至五。选择光电驱动的额定电压必须相同或高于功率三沙矿用变压器的评级。在电

和可控硅必须予以考虑。三沙矿用变压器电流通过负载和主要终端可控硅应该是最大的约70％设备的评分。 然而，一个40的T
可以选择控制1，由于低负荷闭锁和保持电流的要求。请记住，案件可控硅温度必须保持在或低于电流与温度的曲线指定在其数据表。至于较低的情况下与所有半导体温度的可靠性更好。光电三沙矿用变压器座的一般情况下不使用敏感栅可控硅。光耦驱动器可提供高达1门脉冲和较不敏感的门这是可以接受使用标准的.
负载是一个沉重的感应式，然后交变可控硅，还是回至后端在图AN1007.9所示的可控硅，建议。 A系列RC缓冲网络5月或没有必要时使用可控硅。通常没有一个缓冲的网络时，需要使用需要低电流负载的变化。

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